| 摘要 |
<p>게이트 형성용 홈 내에 매립하여 형성되는 금속계 게이트 전극을 가지는 트랜지스터군과 저항을 가지는 반도체 장치에서, 저항값의 불균일을 없앤 저항 형성을 가능하게 한다. 반도체 기판(11)에, 제1 트랜지스터군과 이보다 낮은 동작 전압의 제2 트랜지스터군과 저항(3)을 구비하고, 제1 트랜지스터군은, 반도체 기판(11) 상에 제1 게이트 절연막(13)을 통하여 실리콘계 재료층(71)으로 형성된 제1 게이트 전극(15)을 가지고, 제2 트랜지스터군은, 반도체 기판(11) 상의 제1 층간 절연막(38)에 형성한 게이트 형성용 홈(42) 내에 제2 게이트 절연막(43)을 통하여 금속계 게이트 재료를 매립하도록 형성된 제2 게이트 전극(47, 48)을 가지고, 저항(3)은, 반도체 기판(11) 상에 절연막(61)을 통하여 실리콘계 재료층(71)으로 동일 층에서 형성된 저항 본체(62)와 이 상부에 형성된 저항 보호층(63)을 구비한 것을 특징으로 한다.</p> |
