低介电树脂组合物

摘要

本发明涉及具有足够低的介电常数和介电损耗角正切的低介电树脂组合物、由该低介电树脂组合物形成的低介电膜、低介电树脂组合物以及低介电膜的制造方法、以及低介电膜用涂布剂。(1)低介电树脂组合物，其由平均粒径为0.05～3μm且BET比表面积小于30m²/g的中空二氧化硅颗粒分散于基体树脂中而形成；(2)低介电膜，其由该低介电树脂组合物形成；(3)低介电树脂组合物的制造方法，其包括的工序为：调制颗粒内部含有空气的中空二氧化硅颗粒(A)，或者调制包封有通过烧成会消失而形成中空部位的材料的核壳型二氧化硅颗粒(B)，在超过950℃的温度下将(A)或(B)进行烧成，调制中空二氧化硅颗粒(C)，并将其分散于基体树脂形成材料中以调制分散液；以及(4)低介电膜用涂布剂，其由所述中空二氧化硅颗粒分散于基体树脂形成材料中而形成。

主权项

一种低介电树脂组合物，其中，所述低介电树脂组合物由中空二氧化硅颗粒分散于基体树脂中而形成，所述中空二氧化硅颗粒的平均粒径为0.1～2.2μm，全部颗粒中的80质量％以上具有平均粒径±30％以内的粒径，孔隙率为30～90％，并且BET比表面积小于30m²/g，中空二氧化硅颗粒在粉末X射线衍射测定中，在与晶面间隔(d)小于1nm的范围相当的衍射角(2θ)处不显示峰，中空二氧化硅颗粒的外壳部的平均厚度为0.5～500nm，中空二氧化硅颗粒的含量为10～60质量％。