发明名称 |
背接触式太阳能电池 |
摘要 |
一种背接触式太阳能电池包含太阳能电池基板、本征层、第二型半导体层以及电极层。太阳能电池基板包含半导体基板本体与多个第一型半导体掺杂区。半导体基板本体掺杂有第一型半导体材料;第一型半导体掺杂区形成于半导体基板本体的背光面。本征层形成于背光面上,并设有多个露出第一型半导体掺杂区的第一开口。第二型半导体层沉积于本征层上,并具有多个对应于第一开口的第二开口。本发明的背接触式太阳能电池可避免当本征层及开口面积过大,会导致本征层的钝化效果降低,以及开口面积过小所导致的电阻过高的问题,故能使背接触式太阳能电池获得良好的钝化效果与效率。 |
申请公布号 |
CN104638047A |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201310594789.3 |
申请日期 |
2013.11.22 |
申请人 |
新日光能源科技股份有限公司 |
发明人 |
黄崇杰;杨丰瑜;裴善庄;叶敬群;庄天劭 |
分类号 |
H01L31/077(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/077(2012.01)I |
代理机构 |
隆天知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
于宝庆 |
主权项 |
一种背接触式太阳能电池,包含:一太阳能电池基板,包含:一半导体基板本体,具有一受光面以及一与所述受光面相对设置的背光面,且所述半导体基板本体具有一浓度为第一掺杂浓度的第一型半导体材料;以及多个第一型半导体掺杂区,间隔地形成于所述背光面,且所述多个第一型半导体掺杂区各具有一浓度为第二掺杂浓度的第一型半导体材料,而所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度;一本征层,设置于所述背光面上,且所述本征层具有多个第一开口,所述多个第一型半导体掺杂区分别自所述多个第一开口露出;一第二型半导体层,设置于所述本征层上,且所述第二型半导体层具有多个对应于所述多个第一开口的第二开口,所述第二开口的宽度不小于所述第一开口的宽度;以及一电极层,包含:多个第一电极区,分别经由所述多个第一开口电性接触地设置于所述多个第一型半导体掺杂区上且不与所述第二型半导体层接触;以及多个第二电极区,分别间隔地设置于所述第二型半导体层上,并与所述多个第一电极区彼此相隔。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |