高亮度GaN基LED外延结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种高亮度GaN基LED外延结构及其制作方法，所述外延结构包括：依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、N型GaN层、超晶格结构、周期性多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层。所述多量子阱结构中的势阱分三步生长，一方面可以减小电子和空穴波函数的空间分离，提高辐射性复合效率；另一方面在量子阱生长过程中先通一段时间In源，可以使In源在量子阱中分布更加均匀，从而进一步提高了发光效率。通过三步生长多量子阱结构的方法实现了亮度的提高和量子效率下降的改善。

主权项

一种高亮度GaN基LED外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、N型GaN层、超晶格结构、多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层；其中，所述多量子阱结构由第一InGaN势阱与第一GaN势垒交替组成，所述第一InGaN势阱分三步生长而成。