发明名称 |
一种无压浸渗法制备纳米SiC/Cu基复合材料的方法 |
摘要 |
本发明公开一种无压浸渗法制备纳米SiC/Cu基复合材料的方法,将经过表面改性处理的纳米SiC粉末和镍粉按比例置于压力成型机中模压成形,得到压坯预制件,然后将压坯预制件置于石墨坩埚中,将纯铜块置于压坯预制件上部,浸渗反应在氮气保护的箱式气氛炉内进行,并在1100~1400℃温度下保温4~6小时,随炉冷却后得到纳米SiC/Cu基复合材料。本发明的纳米SiC/Cu基复合材料具有高强度、高致密以及优异的耐磨性能等优点,且本发明工艺简单易控。本发明的纳米SiC/Cu基复合材料已应用到铜水套、铜流槽、铜冷却壁铸造工艺中,主要用于改进埋管式铸铜冷却设备的性能,延长铸铜水套和铜流槽、铜冷却壁的使用寿命。 |
申请公布号 |
CN103484705B |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201310400413.4 |
申请日期 |
2013.09.06 |
申请人 |
绍兴曙光机械有限公司 |
发明人 |
阮俊达;陈建军;陈学兵;王明明;张炬栋;薛一凡 |
分类号 |
C22C1/10(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C32/00(2006.01)I |
主分类号 |
C22C1/10(2006.01)I |
代理机构 |
绍兴市越兴专利事务所 33220 |
代理人 |
张谦 |
主权项 |
一种无压浸渗法制备纳米SiC/Cu基复合材料的方法,其特征在于包括如下工艺步骤:先将经过表面改性处理的纳米SiC粉末和镍粉按比例置于压力成型机中模压成形,得到压坯预制件,然后将压坯预制件置于石墨坩埚中,将纯铜块置于压坯预制件上部,浸渗反应在氮气保护的箱式气氛炉内进行,并在1100~1400℃温度下保温4~6小时,最后随着箱式气氛炉冷却后得到纳米SiC/Cu基复合材料。 |
地址 |
312065 浙江省绍兴市绍兴县齐贤镇绍兴曙光机械有限公司 |