半导体装置和半导体装置的击穿电压控制方法

摘要

本发明涉及半导体装置和半导体装置的击穿电压控制方法。半导体装置基于第一电压、低于第一电压的第二电压、以及处于第一和第二电压之间的第三电压进行操作，并且包括：输出电路，该输出电路至少包括一个其中具有从第二到第一电压的范围的振幅的信号被输入到栅极的晶体管；和控制电路，该控制电路生成控制被包括在输出电路中的晶体管的栅极电压的第一控制信号、控制晶体管的背栅区域中的电压的第二控制信号、以及控制深阱区域中的电压的第三控制信号。控制电路将第一和第二控制信号之间的电压差设置为等于或者小于第一和第三电压之间的电压差以及第二和第三电压之间的电压差中的较大的一个。

主权项

一种半导体装置，所述半导体装置基于用于提供第一电压的第一电源、用于提供低于所述第一电压的第二电压的第二电源、以及用于提供处于所述第一电压和所述第二电压之间的第三电压的第三电源进行操作，包括：输出电路，所述输出电路包括至少一个晶体管，并且输出具有从所述第二电压到所述第一电压的范围的振幅的第一输出信号，其中具有从所述第二电压到所述第一电压的范围的振幅的信号被输入到所述至少一个晶体管的栅极；和控制电路，所述控制电路基于输入信号，生成用于控制被包括在所述输出电路中的晶体管的栅极处的电压的第一控制信号、用于控制所述晶体管的背栅区域中的电压的第二控制信号、以及用于控制提供背栅区域和半导体衬底区域之间的电气隔离的深阱区域中的电压的第三控制信号，其中所述控制电路将所述第一控制信号和所述第二控制信号之间的电压差设置为等于或者小于所述第一电压和所述第三电压之间的电压差以及所述第二电压和所述第三电压之间的电压差中的较大的一个。