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经营范围
发明名称
Method for fabricating MOS capacitor of semiconductor device
摘要
申请公布号
KR100481987(B1)
申请公布日期
2005.04.14
申请号
KR20020086133
申请日期
2002.12.28
申请人
发明人
分类号
H01L27/02;(IPC1-7):H01L27/02
主分类号
H01L27/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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