硅控整流器

摘要

一种硅控整流器，其包括半导体衬底；形成在所述半导体衬底上方的N阱和P阱；形成在所述N阱中的第一P型注入区和第一N型注入区；形成在所述P阱中的第二P型注入区和第二N型注入区；形成在所述N阱与所述P阱相接合之位置的第三注入区；以及形成在所述第三N型注入区侧方的由轻掺杂区和HALO注入区形成的结。本发明的硅控整流器中，由轻掺杂区和HALO注入区形成的结与高浓度注入区相结合以在阳极和阴极电路之间形成等效三极管(NPN型和PNP型)，由此，击穿点就位于高浓度注入区与轻掺杂区之间。由于轻掺杂区位于HALO注入区的上方，因此所述等效三极管的击穿点更靠近器件表面。由此，本发明硅控整流器的触发电压得以减小。

主权项

一种硅控整流器，其特征在于，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上方的N阱和P阱；形成在所述N阱中的第一P型注入区和第一N型注入区；形成在所述P阱中的第二P型注入区和第二N型注入区；形成在所述N阱与所述P阱相接合之位置的第三注入区；以及形成在所述第三注入区侧方的由轻掺杂漏区LDD和晕环注入区HALO形成的结；其中，所述第三注入区为第三N型注入区，且所述结由P型轻掺杂漏区PLDD和N型晕环注入区NHALO形成，所述P型轻掺杂漏区PLDD在所述N型晕环注入区NHALO的上方；或所述第三注入区为第三P型注入区，且所述结由N型轻掺杂漏区NLDD和P型晕环注入区PHALO形成，所述N型轻掺杂漏区NLDD在所述P型晕环注入区PHALO的上方。