发明名称 Photoresist compositions comprising resin blends
摘要 <p>i) 헤테로 치환된(특히 하이드록시 또는 티오) 카보사이클릭 아릴 단위를 포함하는 제 1 수지 및 ii) 제 2 가교화 수지의 적어도 두 상이한 수지의 블렌드 및 광활성 성분을 함유하는 신규 포지티브 포토레지스트 조성물이 제공된다. 본 발명의 바람직한 포토레지스트는 서브(sub)-200 nm, 예컨대 193 nm 조사선과 같은 단파장으로 이미지화될 수 있다.</p>
申请公布号 KR101521511(B1) 申请公布日期 2015.05.19
申请号 KR20140022491 申请日期 2014.02.26
申请人 发明人
分类号 C08L33/04;C08L101/06;G03F7/028;G03F7/032;G03F7/039;G03F7/26;H01L21/027 主分类号 C08L33/04
代理机构 代理人
主权项
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