发明名称 |
Photoresist compositions comprising resin blends |
摘要 |
<p>i) 헤테로 치환된(특히 하이드록시 또는 티오) 카보사이클릭 아릴 단위를 포함하는 제 1 수지 및 ii) 제 2 가교화 수지의 적어도 두 상이한 수지의 블렌드 및 광활성 성분을 함유하는 신규 포지티브 포토레지스트 조성물이 제공된다. 본 발명의 바람직한 포토레지스트는 서브(sub)-200 nm, 예컨대 193 nm 조사선과 같은 단파장으로 이미지화될 수 있다.</p> |
申请公布号 |
KR101521511(B1) |
申请公布日期 |
2015.05.19 |
申请号 |
KR20140022491 |
申请日期 |
2014.02.26 |
申请人 |
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发明人 |
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分类号 |
C08L33/04;C08L101/06;G03F7/028;G03F7/032;G03F7/039;G03F7/26;H01L21/027 |
主分类号 |
C08L33/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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