半导体装置的制造方法;METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明的一个方式的目的之一是对在氧化物半导体中形成通道的电晶体赋予稳定的电特性。另外，抑制在氧化物半导体中形成通道的电晶体的临界电压的变动。另外，提供一种在氧化物半导体中形成通道的具有正临界电压的n通道电晶体，即常闭(normally-off)型切换元件。在基板上形成基底绝缘层，在该基底绝缘层上形成氧化物半导体层，在该氧化物半导体层上形成第一闸极绝缘层，在该第一闸极绝缘层上在100℃以上的基板温度下利用溅射法或原子层沉积法形成第二闸极绝缘层，并且，在该第二闸极绝缘层上形成闸极电极层。