晶体管及其制作方法

摘要

一种晶体管的制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成第一伪栅和第一侧墙；形成第一沟槽；在第一沟槽中形成第一应力层；去除第一侧墙，在第一伪栅的侧壁形成第二侧墙；在第一应力层上形成第二伪栅；露出第一应力层之间的衬底；在第一应力层之间的衬底中形成第二应力层。本发明还提供一种晶体管，包括衬底、第一应力层、第二应力层、形成于第二应力层的源区或者漏区以及设于衬底上的栅极、侧墙。本发明具有以下优点：通过在作为晶体管源区或者漏区的第二应力层周围形成第一应力层，并使第一应力层的应力方向与第二应力层相反，增加所述晶体管中沟道区域的应力大小，进而提升晶体管的电子迁移率。

主权项

一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一伪栅和位于所述第一伪栅侧壁上的第一侧墙；以所述第一侧墙为掩模，分别在所述第一伪栅两侧的衬底中形成第一沟槽；在所述第一伪栅两侧的第一沟槽中分别形成第一应力层；去除所述第一侧墙，并在所述第一伪栅的侧壁形成第二侧墙；在所述第二侧墙露出的所述第一应力层上形成第二伪栅；去除所述第一伪栅，露出所述衬底在第一应力层之间的部分；在所述衬底在第一应力层之间的部分中形成第二应力层，所述第二应力层提供的应力与所述第一应力层提供的应力类型相反；在所述第二应力层中形成源区或者漏区。