发明名称 |
半导体阵列探测器及其封装方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体阵列探测器及其封装方法,半导体阵列探测器,包括光电二极管芯片和CaF<sub>2</sub>(Eu)片,所述的半导体阵列探测器还包括陶瓷基座,所述陶瓷基座设置有凹槽,所述陶瓷基座两侧设置有预设引脚;所述光电二极管芯片贴合在所述凹槽底部,所述光电二极管芯片的引脚与所述预设引脚焊接;所述CaF<sub>2</sub>(Eu)片通过透明粘接介质粘接在所述光电二极管上表面;所述陶瓷基座的凹槽通过黑色电子灌封胶密封。本发明可以将CaF<sub>2</sub>(Eu)、光电二极管芯片完全密封在陶瓷基座上,根本上解决了CaF<sub>2</sub>(Eu)的轻微潮解问题和使用过程可能存在的可见光漏光干扰的问题。能很好的防止CaF<sub>2</sub>(Eu)的轻微潮解,抗干扰能力强,并且有更长的使用寿命和稳定的性能表现。 |
申请公布号 |
CN104617162A |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
CN201510072016.8 |
申请日期 |
2015.02.10 |
申请人 |
四川中测辐射科技有限公司 |
发明人 |
徐恒;龚岚;黄成刚;张晓栋 |
分类号 |
H01L31/0203(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0203(2014.01)I |
代理机构 |
四川省成都市天策商标专利事务所 51213 |
代理人 |
曾娟 |
主权项 |
一种半导体阵列探测器的封装方法,其特征在于:所的封装方法包括以下步骤:步骤1,将光电二极管芯片贴入陶瓷基座的凹槽内,并且将所述光电二极管的引脚焊接与所述陶瓷基座的预设引脚焊接;步骤2,将CaF<sub>2</sub>(Eu)片通过透明的粘结介质粘结在光电二极管的芯片上表面;步骤3,用黑色绝缘电子灌封胶浇注陶瓷基座的凹槽,使其密封。 |
地址 |
610000 四川省成都市成华区玉双路10号综合楼204房 |