| 发明名称 | 大尺寸器件及其在后栅极工艺中的制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种集成电路器件及其制造方法。在一个实例中，集成电路器件包括电容器，该电容器具有设置在半导体衬底中的掺杂区域、设置在掺杂区域上方的介电层、以及设置在介电层上方的电极。至少一个柱状部件嵌入在该电极中。本发明还提供了一种大尺寸器件及其在后栅极工艺中的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102832214B | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201210180087.6 | 申请日期 | 2012.06.01 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 庄学理;朱鸣 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种集成电路器件，包括：电容器，具有：掺杂区域，被设置在半导体衬底中；介电层，被设置在所述掺杂区域上方，以及电极，被设置在所述介电层上方；以及至少一个柱状部件，嵌入在所述电极中，其中，所述柱状部件延伸穿过所述电极和所述介电层，直至所述半导体衬底。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||