发明名称 一种无铟透明电极及其制备方法
摘要 本发明属于纳米材料和光电子器件领域,具体地说,本发明涉及一种无铟透明电极,以磁控溅射镀膜仪为薄膜生长手段,通过衬底上初期生长缓冲籽晶层,以超薄高导电率金属膜为导电层,通过减反增透层的设计来达到对透明电极的光学和电学的调制,本发明同时提供了上述无铟透明电极的制备方法。本发明采用多层复合薄膜技术,以高电导率的超薄金属为导电层,通过多层薄膜的界面光学衍射和反射效应,结合合理选择增透膜的材料种类和厚度来提高薄膜的光学透过率,使薄膜的透光性与导电性更好的有机统一。
申请公布号 CN104616726A 申请公布日期 2015.05.13
申请号 CN201410789348.3 申请日期 2014.12.17
申请人 青岛墨烯产业科技有限公司 发明人 刘敬权;潘东晓;钱锋
分类号 H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I 主分类号 H01B5/14(2006.01)I
代理机构 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 代理人 胡剑辉
主权项 一种无铟透明电极,其特征在于:以磁控溅射镀膜仪为薄膜生长手段,通过衬底上初期生长缓冲籽晶层,以超薄高导电率金属膜为导电层,通过减反增透层的设计来达到对透明电极的光学和电学的调制。
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