发明名称 |
一种无铟透明电极及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于纳米材料和光电子器件领域,具体地说,本发明涉及一种无铟透明电极,以磁控溅射镀膜仪为薄膜生长手段,通过衬底上初期生长缓冲籽晶层,以超薄高导电率金属膜为导电层,通过减反增透层的设计来达到对透明电极的光学和电学的调制,本发明同时提供了上述无铟透明电极的制备方法。本发明采用多层复合薄膜技术,以高电导率的超薄金属为导电层,通过多层薄膜的界面光学衍射和反射效应,结合合理选择增透膜的材料种类和厚度来提高薄膜的光学透过率,使薄膜的透光性与导电性更好的有机统一。 |
申请公布号 |
CN104616726A |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
CN201410789348.3 |
申请日期 |
2014.12.17 |
申请人 |
青岛墨烯产业科技有限公司 |
发明人 |
刘敬权;潘东晓;钱锋 |
分类号 |
H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01B5/14(2006.01)I |
代理机构 |
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 |
代理人 |
胡剑辉 |
主权项 |
一种无铟透明电极,其特征在于:以磁控溅射镀膜仪为薄膜生长手段,通过衬底上初期生长缓冲籽晶层,以超薄高导电率金属膜为导电层,通过减反增透层的设计来达到对透明电极的光学和电学的调制。 |
地址 |
266109 山东省青岛市高新区松园路17号C1楼403 |