| 摘要 |
<p>外来電荷の影響を抑制することが可能であるとともに、効率的に製造することができる半導体装置を提供する。この半導体装置は、半導体素子が形成されているアクティブ領域と、アクティブ領域と半導体基板の端面との間の外周領域を有しており、外周領域の少なくとも一部の上面に絶縁層が形成されており、絶縁層内に、アクティブ領域から半導体基板の端面に向かう方向、及び、半導体基板の厚み方向に沿った断面において半導体基板の厚み方向に沿って伸びており、互いに分離されている複数のフローティング電極が、アクティブ領域から半導体基板の端面に向かう方向に沿って間隔を隔てて配置されている。</p> |
