发明名称 不揮発性半導体装置を駆動する方法
摘要 <p>幅WRH1および幅WRH2が大きくなり、幅WRLが小さくなるように、電圧Vs、Vd、およびV3が、それぞれ、ソース電極(15)、ドレイン電極(16)、および下部ゲート電極膜(12)に印加されながら、強誘電体膜(13)に含まれる全ての分極を反転させるのに必要な期間よりも短い期間の間、パルス電圧V1およびV2が、それぞれ、第1上部ゲート電極(17a)および第2上部ゲート電極(17b)に印加される。パルス電圧V1およびV2は、強誘電体膜(13)に含まれる全ての分極を反転させるために必要な電圧よりも小さい。電圧Vs、VdおよびV3ならびにパルス電圧V1およびV2は、Vs,Vd,V3<V1,V2の関係を充足する。</p>
申请公布号 JPWO2013118449(A1) 申请公布日期 2015.05.11
申请号 JP20130526240 申请日期 2013.01.28
申请人 发明人
分类号 H01L21/8246;G11C11/22;H01L21/336;H01L27/105;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L21/8246
代理机构 代理人
主权项
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