| 摘要 |
<p>本発明の光電変換素子の製造方法は、光電変換層２ａを持つ、シリコンからなる基板２を準備する準備工程と、基板２の上面２Ｂに、水素を含む雰囲気中で、原子堆積法または化学気相成長法によって酸化アルミニウムを堆積して第１保護膜３を成膜する第１成膜工程と、該第１成膜工程の後、第１保護膜３上に、スパッタリング法によって酸化アルミニウムを堆積して第２保護膜４を成膜する第２成膜工程とを有する。また本発明の光電変換素子は、光電変換層を持つ、シリコンからなる基板と、該基板上に堆積された、酸化アルミニウムからなる第１保護膜と、該第１保護膜上に堆積された、酸化アルミニウムからなる第２保護膜とを有し、前記第１保護膜に含まれる水素の濃度が、前記第２保護膜に含まれる水素の濃度よりも高い。</p> |
