| 摘要 |
1. Электронный датчик приближения, снабженный расположенным под декоративной поверхностью чувствительным элементом, отличающийся тем, что декоративная поверхность покрыта тонким полупроводниковым слоем.2. Электронный датчик приближения по п. 1, отличающийся тем, что толщина полупроводникового слоя составляет от 10 до 100 нм.3. Электронный датчик приближения по одному из пп. 1 и 2, отличающийся тем, что полупроводниковый слой в качестве полупроводникового материала включает в себя кремний.4. Электронный датчик приближения по п. 3, отличающийся тем, что полупроводниковый слой состоит из кремния.5. Электронный датчик приближения по п. 1, отличающийся тем, что полупроводниковый слой является составной частью системы слоев, включающей в себя по меньшей мере один дополнительный слой, которая предпочтительно является системой интерферентных слоев.6. Электронный датчик приближения по п. 5, отличающийся тем, что этот по меньшей мере один дополнительный слой представляет собой слой SiO.7. Электронный датчик приближения по п. 5, отличающийся тем, что система слоев является системой чередующихся слоев.8. Электронный датчик приближения по п. 1, отличающийся тем, что между элементом, образующим декоративную поверхность, и полупроводниковым слоем предусмотрен промежуточный слой, которыйвключает в себя полимерный слой, состоящий предпочтительно из отверждаемого ультрафиолетом лака.9. Электронный датчик приближения по п. 1, отличающийся тем, что в качестве слоя, закрывающего от окружающей среды, предусмотрен полимерный слой, который предпочтительно состоит из отверждаемого ультрафиолетом лака.10. Электронный датчик приближения по п. |
