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본 발명은 흑연 기판상에 적어도 하나의 코어 반도체 나노와이어, 상기 적어도 하나의 코어 나노와이어는 상기 기판상에서 에피택셜하게 성장하고 상기 나노와이어는 적어도 하나의 III-V 족 화합물 또는 적어도 하나의 II-VI 족 화합물 또는 적어도 하나의 IV 족 원소를 포함하며; 상기 코어 나노와이어 주위의 반도체 쉘, 상기 쉘은 적어도 하나의 III-V 족 화합물 또는 적어도 하나의 II-VI 족 화합물 또는 적어도 하나의 IV 족 원소를 포함하며, 상기 코어 나노와이어 및 상기 쉘은 각각 n-형 반도체 및 p-형 반도체 또는 반대로 형성하고; 전극 접촉을 형성하는 상기 쉘 주위의 외부 전도성 코팅을 포함하는, 물질, 특히 광전지의 조성물을 제공한다. |
