发明名称 遷移金属をドープした希土類ホウ炭化物系熱電半導体、その製造方法及び熱電発電素子
摘要 PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an n-type thermoelectric semiconductor consisting of a rare earth boron carbide and exhibiting high performance, e.g. a high Seebeck coefficient.SOLUTION: The trigonal rare earth boron carbide has a composition expressed by a following formula. REBCN*t(TM)(-10<X<10, -3<Y<3, -1<Z<1, RE=Sc, Y, Ho, Er, Tm, or Lu, 0.5 at.%<t<6 at.%, TM=Co, Cu, Ni, Rh, Mn, Mo, Fe, Ti, V, or Cr)
申请公布号 JP5713283(B2) 申请公布日期 2015.05.07
申请号 JP20100122311 申请日期 2010.05.28
申请人 独立行政法人物質・材料研究機構 发明人 森 孝雄;アナスタシア プリツリアク
分类号 H01L35/22;C01B35/04;C01B35/18;C04B35/50;C04B35/58;H01L35/34 主分类号 H01L35/22
代理机构 代理人
主权项
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