发明名称 | 一种基于缺陷磁泄漏域反向场的漏磁检测方法与装置 | ||
摘要 | 本发明公开了一种基于磁真空泄漏原理的漏磁检测方法及其装置。该方法为①将待检测导磁构件磁化;②在上述被磁化的导磁构件外围,剔除已有背景磁场,形成磁真空区域;③采用磁敏元件布置于磁真空区域,拾取无磁压缩效应的缺陷漏磁场并转化为电压信号,如果电压信号中存在突变,则说明待检测导磁构件中存在缺陷,否则无缺陷。装置采用穿过式线圈对被检测导磁构件实施局部磁化,以便激发出该磁化区域内导磁构件上缺陷的漏磁场;在其内腔布置永磁体对,产生反向磁场与原背景磁场叠加抵消,形成磁真空区域以供缺陷的漏磁场泄漏扩散进来,同时消除由背景磁场所引起的磁噪声及布置于内的霍尔元件的磁饱和不工作现象。 | ||
申请公布号 | CN103776897B | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
申请号 | CN201410054589.3 | 申请日期 | 2014.02.18 |
申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 孙燕华;冯博;康宜华;叶志坚;李冬林 |
分类号 | G01N27/83(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/83(2006.01)I |
代理机构 | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人 | 曹葆青 |
主权项 | 一种基于磁真空泄漏原理的漏磁检测方法,该方法步骤包括:第1步、将待检测导磁构件磁化;第2步、利用环形永磁体对布置在待检到磁构件外围,并位于穿过式线圈的内腔,环形永磁体对磁极极向方向与原磁场相反,与原背景磁场大小相等方向相反而磁场矢量和为零,形成磁真空泄漏区域,以供缺陷的漏磁场泄漏扩散进来,同时消除由背景磁场所引起的磁噪声及布置于内的霍尔元件的磁饱和不工作现象;并且,永磁体对形成的磁场进一步增大被磁化体内磁感应场,以及进一步增大缺陷漏磁场的泄漏作用;穿过式线圈对被检测导磁构件实施局部磁化,以便激发出该磁化区域内导磁构件上缺陷的漏磁场;第3步、采用磁敏元件布置于磁真空区域,拾取无磁压缩效应的缺陷漏磁场并转化为电压信号,如果电压信号中存在突变,则说明待检测导磁构件中存在缺陷,否则无缺陷。 | ||
地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |