| 发明名称 | 高偏振消光比的偏振片及其制作方法和测试装置 | ||
| 摘要 | 一种高偏振消光比的偏振片，所述偏振片的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片；所述铌酸锂晶片为片状结构体，铌酸锂晶片的正、反面各设置有一光波导区，两个光波导区的截面尺寸相同、位置正对；所述铌酸锂晶片表面光波导区以外的区域覆盖有阻光膜层；铌酸锂晶片表面与铌酸锂晶体的Y-Z切向或X-Z切向平行。本发明的有益技术效果是：提供了一种用于替换偏振消光比测试装置中现有偏光棱镜的新的偏振片，使偏振消光比测试装置的测量上限得到提升，改善偏振消光比测试装置的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104597552A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201510088214.3 | 申请日期 | 2015.02.26 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 发明人 | 华勇;田自君;杨千泽;张鑫 |
| 分类号 | G02B5/30(2006.01)I;G01M11/02(2006.01)I | 主分类号 | G02B5/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人 | 侯懋琪 |
| 主权项 | 一种高偏振消光比的偏振片，其特征在于：所述偏振片（10）的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片（1）；所述铌酸锂晶片（1）为片状结构体，铌酸锂晶片（1）的正、反面各设置有一光波导区（2），两个光波导区（2）的截面尺寸相同、位置正对；所述铌酸锂晶片（1）表面光波导区（2）以外的区域覆盖有阻光膜层（3）；铌酸锂晶片（1）表面与铌酸锂晶体的Y‑Z切向或X‑Z切向平行。 | ||
| 地址 | 400060 重庆市南岸区花园路14号电子44所 | ||