| 发明名称 | 含有钼的薄膜的制造方法、薄膜形成用原料及钼酰亚胺化合物 | ||
| 摘要 | 本发明的薄膜的制造方法中将含有钼酰亚胺化合物的蒸汽导入至基体上，使其分解和/或发生化学反应，从而在基体上形成含有钼的薄膜，所述钼酰亚胺化合物是使含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的薄膜形成用原料汽化来获得的。本发明的薄膜形成用原料是含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的。式中，R<sup>1</sup>～R<sup>10</sup>表示氢原子或者碳数为1～5的直链或支链状烷基，R<sup>11</sup>表示碳数为1～8的直链或支链状烷基。<img file="DDA0000672817040000011.GIF" wi="704" he="403" /> | ||
| 申请公布号 | CN104603327A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201380043243.7 | 申请日期 | 2013.10.15 |
| 申请人 | 株式会社艾迪科 | 发明人 | 佐藤宏树;上山润二 |
| 分类号 | C23C16/40(2006.01)I;C07F17/00(2006.01)I;C07F11/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 白丽 |
| 主权项 | 一种薄膜的制造方法，其中，将含有钼酰亚胺化合物的蒸汽导入至基体上，使其分解和/或发生化学反应，从而在基体上形成含有钼的薄膜，所述钼酰亚胺化合物是使含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的薄膜形成用原料汽化来获得的，<img file="FDA0000672817010000011.GIF" wi="773" he="418" />式中，R<sup>1</sup>～R<sup>10</sup>表示氢原子或者碳数为1～5的直链或支链状烷基，R<sup>11</sup>表示碳数为1～8的直链或支链状烷基。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||