发明名称 半导体装置与其形成方法与影像感测装置;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND IMAGE SENSOR DEVICE
摘要 本发明揭露半导体装置与其形成方法及影像感测装置。在某些实施例中,半导体装置包括半导体晶片,其包括阵列区、周边区、与穿孔形成其中。半导体装置包括保护结构形成于半导体晶片中的阵列区与穿孔区之间,或穿孔与部份周边区之间。
申请公布号 TW201517256 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW103104846 申请日期 2014.02.14
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 庄俊杰 CHUANG, CHUN CHIEH;杨敦年 YAUNG, DUN NIAN;刘人诚 LIU, JEN CHENG;许慈轩 HSU, TZU HSUAN;洪丰基 HUNG, FENG CHI;高敏峰 KAO, MIN FENG
分类号 H01L27/146(2006.01);H01L23/52(2006.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW