发明名称 利用自动对准低温浅接面制造具有极低临界电压金属闸极/高介电常数材质之互补金氧半场效电晶体之方法
摘要
申请公布号 TWI483345 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW097116760 申请日期 2008.05.07
申请人 国立交通大学 发明人 荆凤德
分类号 H01L21/8238 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人 叶建郎 台北市中山区龙江路151号6楼
主权项 一种利用自动对准低温浅接面制造具有极低临界电压金属闸极/高介电常数材质之互补金氧半场效电晶体之方法,其特征在于该方法系利用一低温浅接面法在互补金氧半场效电晶体之制程中减少其界面反应,其处理温度系低于900oC,之后,当该方法系用于制造商用矽太阳能电池板时,进一步实施湿式磷酸喷涂及掺杂作业。
地址 新竹市大学路1001号
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