| 发明名称 |
半导体结构及其形成方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI483382 |
申请公布日期 |
2015.05.01 |
| 申请号 |
TW097114627 |
申请日期 |
2008.04.22 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
叶名世;包天一;鲁定中 |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/768;H01L21/31;H01L21/304 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种半导体结构，包括：一介电层；一化学机械研磨停止层，位于该介电层上，其中该该化学机械研磨停止层包含一材料，该材料系择自实质上由氧化矽、碳化矽、碳氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其组合之族群，该化学机械研磨停止层的亲水性高于该介电层的亲水性；一导线，位于该介电层内；以及一金属盖层，位于该导线之上，其中该金属盖层之上表面实质上与该化学机械研磨停止层的上表面等高。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
