具有递变式光侦测器植入之高全井电容像素

主权项

一种用于藉由掺杂剂植入来形成一CMOS像素中之一光侦测器区的程序，该程序包含：遮罩一基板之一表面之一光侦测器区域以用于形成该光侦测器区；以复数个扭转角定位该基板，其中该扭转角系绕一正交于该基板之该表面的一轴旋转之一角；及在该复数个扭转角中之每一者之间的该基板之旋转期间，以一选定倾斜角将植入物掺杂剂导引指向该光侦测器区域。