Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben

摘要

Es ist ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung vorgesehen, das ein Bilden einer Abschirmschicht (105) auf einem Substrat (100), wobei die Abschirmschicht (105) einen ersten Abschnitt aufweist, welcher mit einer Störstelle von einem ersten Typ dotiert ist, ein Bilden einer ersten undotierten Halbleiterschicht (110) auf der Abschirmschicht (105), ein Bilden einer Gate-Struktur (120) auf der ersten Halbleiterschicht (110), ein Bilden eines ersten amorphen Bereichs (160) auf beiden Seiten der Gate-Struktur (120) in der ersten Halbleiterschicht (110) und ein Rekristallisieren des ersten amorphen Bereichs (160) durch ein Durchführen einer ersten Wärmebehandlung des ersten amorphen Bereichs (160) aufweist.