| 发明名称 | 低温多晶硅薄膜晶体管制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管制造方法，包括：在基板上形成多晶硅层；在多晶硅层上依序形成具有氧化硅和氮化硅层叠结构的栅绝缘层以及栅极层；在栅极层上形成图案化光致抗蚀剂；对基板进行等离子体蚀刻和反应离子蚀刻，以去除未被光致抗蚀剂覆盖的氮化硅和栅极层；移除栅极层，以形成栅底脚和栅极；移除光致抗蚀剂，利用栅极和栅底脚为掩模进行重掺杂工艺，形成源/漏极和轻掺杂漏极。采用本申请提供的方法，可以减小蚀刻栅极层和氮化硅层时氧化硅的损失。 | ||
| 申请公布号 | CN104576387A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201310479753.0 | 申请日期 | 2013.10.14 |
| 申请人 | 上海和辉光电有限公司 | 发明人 | 颜圣佑;黄家琦;李原欣;王承贤 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 石海霞;郑特强 |
| 主权项 | 一种低温多晶硅薄膜晶体管制造方法，包括：在基板上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上依序形成具有氧化硅和氮化硅层叠结构的栅绝缘层以及栅极层；在所述栅极层上形成图案化光致抗蚀剂；对于所述基板进行等离子体蚀刻和反应离子蚀刻，以去除未被所述光致抗蚀剂覆盖的氮化硅和栅极层；移除所述栅极层，以形成栅底脚和栅极；移除所述光致抗蚀剂，利用所述栅极和所述栅底脚为掩模进行重掺杂工艺，形成源/漏极和轻掺杂漏极。 | ||
| 地址 | 201500 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 | ||