发明名称 一种II-VI族软脆晶体研磨抛光方法
摘要 一种II-VI族软脆晶体绿色环保研磨抛光方法,属于II-VI族软脆晶体加工制造技术领域。其特征是样品为II-VI族软脆晶体,采用固结磨料的防水砂纸,固结磨料磨盘作为研磨工具,磨料为氧化铝、二氧化铈、二氧化硅中的一种,粒度为2000-5000#。工件和研磨盘转速均为40-80rpm,压力为15-20kPa,研磨液为去离子水,研磨时间3-10min。化学机械抛光液由硅溶胶、双氧水组成,硅溶胶的pH值为6-8,二氧化硅粒径为50-80nm,pH值调节剂为桔子汁、柚子汁、山楂汁、西红柿汁、柠檬汁中的一种,调节后抛光液的pH值为4-6,工件和抛光盘转速均为40-80rpm,压力20-30kPa,抛光时间20-40min。本发明的效果和益处是实现了II-VI族软脆晶体绿色环保研磨抛光方法。
申请公布号 CN103203681B 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201310117949.5 申请日期 2013.04.07
申请人 大连理工大学 发明人 张振宇;康仁科;宋亚星;郭东明
分类号 B24B37/00(2012.01)I;B24B37/34(2012.01)I 主分类号 B24B37/00(2012.01)I
代理机构 大连理工大学专利中心 21200 代理人 侯明远
主权项 一种II‑VI族软脆晶体研磨抛光方法,采用固结磨料研磨以及抛光液抛光方法,实现II‑VI族软脆晶体超光滑、低/无损伤加工,其特征是:(1)样品为II‑VI族软脆晶体;(2)研磨采用固结磨料的防水砂纸,固结磨料磨盘;(3)磨料为氧化铝、二氧化铈、二氧化硅中的一种,粒度为2000‑5000#;(4)工件和研磨盘转速均为40‑80rpm,压力为15‑20kPa,研磨液为去离子水,研磨时间3‑10min;(5)化学机械抛光液由硅溶胶、双氧水组成,硅溶胶的pH值为6‑8,二氧化硅粒径为50‑80nm;(6)化学机械抛光液pH值调节剂为桔子汁、柚子汁、山楂汁、西红柿汁、柠檬汁中的一种,调节后抛光液的pH值为4‑6;(7)工件和抛光盘转速均为40‑80rpm,压力20‑30kPa,抛光时间20‑40min;(8)工件抛光后用去离子水冲洗干净,再用压缩空气吹干。
地址 116024 辽宁省大连市凌工路2号