发明名称 | 一种在多晶硅定向凝固中提高提纯得率的设备及方法 | ||
摘要 | 一种在多晶硅定向凝固中提高提纯得率的设备及方法,通过在现有多晶硅定向凝固提纯设备中增加水冷盘装置,在定向凝固后进行逆定向凝固,使金属杂质浓度高的区域快速凝固,减少了金属杂质的反扩散行为,同时硅熔体的定向凝固生长与逆定向凝固生长会在生长的尖端形成断裂带,直接移出硅锭上表面即可,可方便快捷地达到分离目的,本发明的设备简单,设计巧妙;利用此设备的分离方法可有效抑制金属杂质的扩散行为,有效提高硅锭利用率5~10%;实现高金属杂质的硅熔体区域与硅锭的分离,提高了实际良率5~15%。 | ||
申请公布号 | CN104556049A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
申请号 | CN201410826877.6 | 申请日期 | 2014.12.25 |
申请人 | 大连理工大学 | 发明人 | 谭毅;王登科;李佳艳;林海洋;薛冰 |
分类号 | C01B33/037(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I |
代理机构 | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人 | 赵淑梅;李馨 |
主权项 | 一种在多晶硅定向凝固中提高提纯得率的设备,包括高纯石英棒探测器(2)、中频感应线圈(5)、石墨发热层(4)、碳毡保温层(6)和石英坩埚(8),其特征在于:所述设备还包括从设备顶部穿过至设备腔室内的水冷盘装置,所述水冷盘装置包括水冷盘移动杆(1),水冷盘(3)和设置在水冷盘装置内的冷却水循环系统(7),所述水冷盘装置可上下移动,使水冷盘(3)探入石英坩埚(8)内部。 | ||
地址 | 116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号 |