堆叠电容结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种堆叠电容结构及其制作方法，堆叠电容结构中的各个电容的上电极是借由一连结节点互相电连结，形成堆叠电容结构的步骤如下：首先，提供一絶缘基底，絶缘基底包括至少一掺质絶缘材料层和至少一絶缘材料层，接着图案化絶缘基底，而形成一沟渠在絶缘材料层和掺质絶缘材料层中，沟渠的一内侧侧壁包括一第一区域和一第二区域，第二区域内的掺质絶缘材料层被完全移除而形成一孔洞，然后形成一上电极板围绕沟渠的内侧侧壁，并且上电极板填满孔洞，然后形成一电容介电层围绕上电极板，最后形成一储存节点填入沟渠。

主权项

一种堆叠电容结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一绝缘基底，其中所述绝缘基底包括至少一掺质绝缘材料层和至少一绝缘材料层；图案化所述绝缘基底而形成一沟渠于所述绝缘材料层和所述掺质绝缘材料层中，其特征在于，所述沟渠的一内侧侧壁包括一第一区域和一第二区域，所述第二区域内的所述掺质绝缘材料层被完全移除而形成一孔洞，所述内侧侧壁的所述第一区域包括一凹穴，所述凹穴用所述掺质绝缘材料层当作底部，并且用所述绝缘材料层当作一侧壁；形成一上电极板围绕所述沟渠的所述内侧侧壁，并且所述上电极板填满所述孔洞和填入所述凹穴；形成一电容介电层围绕所述上电极板；及形成一储存节点填入所述沟渠，其中所述储存节点是圆柱形。