发明名称 |
フラッシュメモリブロックの適応的なプログラミングまたは消去 |
摘要 |
本明細書に記載される実施形態は、概して、フラッシュメモリのプログラムおよび消去に関する。一実施形態において、フラッシュメモリのブロックの内容をプログラムおよび消去する方法は、ブロックの古さに基づいてパルスの電圧を決定することと、ブロックの少なくとも一部分にパルスを出力することとを含む。パルスは、ブロックをプログラムまたは消去するのに使用される。【選択図】図3 |
申请公布号 |
JP2015512552(A) |
申请公布日期 |
2015.04.27 |
申请号 |
JP20150504651 |
申请日期 |
2013.04.01 |
申请人 |
スパンション エルエルシー |
发明人 |
ネオ,ティオ,ウェイ;シェティー,シヴァナンダ;パック,ジェームズ |
分类号 |
G11C16/02;G06F12/16 |
主分类号 |
G11C16/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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