| 发明名称 |
異種基板を有するＩＩＩ族窒化物デバイスに適するバッファ層構造 |
| 摘要 |
本発明の実施形態は、異種基板を有するＩＩＩ−Ｎデバイスに適合するバッファ構造を含む。バッファ構造は、第１のアルミニウム組成を有する第１のバッファ層と、第１のバッファ層上に形成され、第２のアルミニウム組成を有する第２のバッファ層とを備える。バッファ構造は、更に、第２の界面において第２のバッファ層上に形成され、第３のアルミニウム組成を有する第３のバッファ層を備える。第１のアルミニウム組成は、第１のバッファ層内で界面に向かって減少し、第２のアルミニウム組成は、第２のバッファ層に亘って、界面における第１のアルミニウム組成より高い。【選択図】 図１ |
| 申请公布号 |
JP2015512148(A) |
申请公布日期 |
2015.04.23 |
| 申请号 |
JP20140555787 |
申请日期 |
2013.02.01 |
| 申请人 |
トランスフォーム インコーポレーテッド |
发明人 |
ケラー，スタシア;スウェンソン，ブライアン エル．;フィヒテンバウム，ニコラス |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/205;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812;H01L33/12;H01L33/32 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
