发明名称 用于降低了SAR的高场强MR的双层多元件RF带状线圈阵列
摘要 当执行高场强或超高场强磁共振成像时,一种改善接收SNR并降低发送SAR的双层发送-接收线圈阵列(10)。靠近射频屏蔽(12)放置发送元件(14)以降低SAR,以及较远离所述屏蔽放置接收元件(16)以改善SNR。使用二极管(20)、变压器(70、72),或其他去耦技术能够对所述发送和接收元件去互耦。在一个实施例中,所述发送元件(14)的一部分经过所述RF屏蔽(12)的前面以进一步降低SAR,而所述发送元件(14)中的电容器(18)定位于所述屏蔽(12)的后面。附加的屏蔽(80)能够用于减轻电缆波。
申请公布号 CN101990642B 申请公布日期 2015.04.22
申请号 CN200980112632.4 申请日期 2009.04.02
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 C·洛斯勒
分类号 G01R33/34(2006.01)I;G01R33/3415(2006.01)I 主分类号 G01R33/34(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 王英;刘炳胜
主权项 一种用于高场强磁共振成像(MRI)系统的双层发送和接收线圈阵列(10),包括: 射频(RF)屏蔽(12); 发送线圈带(14),其以与所述射频屏蔽的第一距离邻近所述射频屏蔽定位; 接收线圈带(16),其以与所述射频屏蔽的第二距离在所述发送线圈带(14)后面定位,所述接收线圈带接收MR数据,所述第二距离大于所述第一距离,以及 第一变压器和第二变压器(70、72),其对所述发送线圈带(14)和所述接收线圈带(16)去互耦, 其中,所述发送线圈带(14)被耦合到所述第一变压器(70)的第一侧(70a)和所述第二变压器(72)的第一侧(72a),所述第一变压器(70)的所述第一侧(70a)和所述第二变压器(72)的所述第一侧(72a)分别耦合到与所述射频屏蔽(12)耦合的第一电容器18a,18b,并且 其中,所述接收线圈带(16)被耦合到所述第一变压器(70)的第二侧(70b)和所述第二变压器(72)的第二侧(72b),所述第一变压器(70)的所述第二侧(70b)和所述第二变压器(72)的所述第二侧(72b)分别耦合到与所述射频屏蔽(12)耦合的第二电容器18c,18d。 
地址 荷兰艾恩德霍芬