发明名称 |
用于降低了SAR的高场强MR的双层多元件RF带状线圈阵列 |
摘要 |
当执行高场强或超高场强磁共振成像时,一种改善接收SNR并降低发送SAR的双层发送-接收线圈阵列(10)。靠近射频屏蔽(12)放置发送元件(14)以降低SAR,以及较远离所述屏蔽放置接收元件(16)以改善SNR。使用二极管(20)、变压器(70、72),或其他去耦技术能够对所述发送和接收元件去互耦。在一个实施例中,所述发送元件(14)的一部分经过所述RF屏蔽(12)的前面以进一步降低SAR,而所述发送元件(14)中的电容器(18)定位于所述屏蔽(12)的后面。附加的屏蔽(80)能够用于减轻电缆波。 |
申请公布号 |
CN101990642B |
申请公布日期 |
2015.04.22 |
申请号 |
CN200980112632.4 |
申请日期 |
2009.04.02 |
申请人 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
发明人 |
C·洛斯勒 |
分类号 |
G01R33/34(2006.01)I;G01R33/3415(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/34(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
王英;刘炳胜 |
主权项 |
一种用于高场强磁共振成像(MRI)系统的双层发送和接收线圈阵列(10),包括: 射频(RF)屏蔽(12); 发送线圈带(14),其以与所述射频屏蔽的第一距离邻近所述射频屏蔽定位; 接收线圈带(16),其以与所述射频屏蔽的第二距离在所述发送线圈带(14)后面定位,所述接收线圈带接收MR数据,所述第二距离大于所述第一距离,以及 第一变压器和第二变压器(70、72),其对所述发送线圈带(14)和所述接收线圈带(16)去互耦, 其中,所述发送线圈带(14)被耦合到所述第一变压器(70)的第一侧(70a)和所述第二变压器(72)的第一侧(72a),所述第一变压器(70)的所述第一侧(70a)和所述第二变压器(72)的所述第一侧(72a)分别耦合到与所述射频屏蔽(12)耦合的第一电容器18a,18b,并且 其中,所述接收线圈带(16)被耦合到所述第一变压器(70)的第二侧(70b)和所述第二变压器(72)的第二侧(72b),所述第一变压器(70)的所述第二侧(70b)和所述第二变压器(72)的所述第二侧(72b)分别耦合到与所述射频屏蔽(12)耦合的第二电容器18c,18d。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |