半导体装置

摘要

本发明的目的在于提供一种能够迅速并且正确地检测与内置的半导体晶体管的温度相关的信息的半导体装置。在本发明中，MOSFET（1）具有多个单元，具有：主单元群（2），包括多个单元中的、用于对负载供给电流的单元；以及传感单元群（3），包括用于检测与MOSFET（1）的温度相关的温度信息的单元。对于主单元群（2）和传感单元群（3），表示相对温度的变化的电气特性的变化的温度特性不同。温度检测电路（10）例如根据主单元群（2）中流过的主电流的值和传感单元群（3）中流过的传感电流的值，检测MOSFET（1）的温度。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体晶体管，具有多个单元；以及检测电路，检测与所述半导体晶体管的温度相关的温度信息，所述半导体晶体管具有包括所述多个单元中的用于对负载供给电流的单元的主单元群、和包括用于检测所述温度信息的单元的传感单元群，对于所述主单元群和所述传感单元群，表示相对所述半导体晶体管的温度的变化的电气特性的变化的温度特性不同，所述检测电路根据所述主单元群中流过的主电流的值和所述传感单元群中流过的传感电流的值，检测所述温度信息，所述多个单元分别具有漏电极、源电极以及栅电极，构成所述主单元群的单元的漏电极和构成所述传感单元群的单元的漏电极电连接，构成所述主单元群的单元的栅电极和构成所述传感单元群的单元的栅电极电连接。