发明名称 | 一种低杂质含量的太阳能电池制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种低杂质含量的太阳能电池制备方法,采用在硅片的正背面形成氧化硅层进行快速退火工艺,并且结合热扩散工艺,使硅片中的杂质被激活并迁移至氧化硅层,再清除富集杂质的氧化硅层,从而大幅减少太阳能电池杂质含量,有效提高硅片的平均少子寿命和电池光电转换效率。 | ||
申请公布号 | CN104538487A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
申请号 | CN201410673917.8 | 申请日期 | 2014.11.21 |
申请人 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 发明人 | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 温旭 |
主权项 | 一种低杂质含量的太阳能电池制备方法,其特征在于,包括以下步骤:A.用HF酸对硅片进行预处理,除去所述硅片表面的污垢;B.氧化所述硅片并在所述硅片的正面和背面形成第一氧化硅层;C.对所述硅片进行第一次快速退火处理,以激活所述硅片中的杂质迁移至所述第一氧化硅层;D.对所述硅片进行湿法制绒,去除所述第一氧化硅层;E.将制绒后的所述硅片放入扩散炉内进行热扩散;F.将所述硅片置于HF溶液酸槽中浸泡,去除磷硅玻璃层;G.将去除磷硅玻璃层的所述硅片再次氧化,并在所述硅片的正面和背面形成第二氧化硅层;H.对所述硅片进行第二次快速退火处理,进一步激活所述硅片中少量的杂质迁移至所述第二氧化硅层;I.将经第二次快速退火处理的所述硅片用HF酸处理,去除所述第二氧化硅层;J.在所述硅片正面形成氮化硅减反膜;K.在所述硅片正面形成正电极,所述硅片背面形成背电极和铝背场;L.烧结。 | ||
地址 | 528100 广东省佛山市三水工业园区C区69号 |