| 发明名称 | 一种多片碳化硅半导体材料制造装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体材料生长制造装置，包括：主腔室，进气系统，石墨托，感应加热线圈，旋转系统和排气系统；所述进气系统用于向所述主腔室输入材料生长所需的气体；所述石墨托用于放置衬底材料，位于所述进气系统下方；所述感应加热线圈用于加热，位于所述石墨托下方；所述旋转系统与所述石墨托连接，用于带动所述石墨托进行旋转；所述排气系统用于向主腔室外部排出反应后的废气。 | ||
| 申请公布号 | CN104538289A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201410787354.5 | 申请日期 | 2014.12.17 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 闫果果;孙国胜;刘兴昉;张峰;王雷;赵万顺;曾一平 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种半导体材料生长制造装置，包括：主腔室，进气系统，石墨托，感应加热线圈，旋转系统和排气系统；所述进气系统用于向所述主腔室输入材料生长所需的气体；所述石墨托用于放置衬底材料，位于所述进气系统下方；所述感应加热线圈用于加热，位于所述石墨托下方；所述旋转系统与所述石墨托连接，用于带动所述石墨托进行旋转；所述排气系统用于向主腔室外部排出反应后的废气。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||