发明名称 |
光半导体封装体及光半导体装置 |
摘要 |
本发明的目的在于提供一种光半导体封装体及光半导体装置。仅在以基座下部(1d)包围的区域对引线(3)和金属块(2)进行树脂密封,并在成为空腔(10)底面部的金属块(2)表面不使用树脂,而由金属构件或耐变色性、耐变质性高的材料构成。 |
申请公布号 |
CN102194975B |
申请公布日期 |
2015.04.22 |
申请号 |
CN201110033237.6 |
申请日期 |
2011.01.24 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
中井博 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/54(2010.01)I;H01L33/56(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
张鑫 |
主权项 |
一种光半导体封装体,其特征在于,包括:基座,该基座包含环状的环及形成于所述环的下部、比上述环的内径要大的环状的基座下部;引线,该引线包含成为外部电极的外部引线;块,该块设置于所述基座下部内,上部表面的一部分露出到所述环内;元件安装部,该元件安装部由光半导体元件的安装区域构成,该光半导体元件设置于露出到所述环内的所述块的表面;引线放置部,该引线放置部与所述元件安装部设置阶梯,形成于所述上部表面,成为所述引线的放置区域;密封材料,该密封材料在所述基座下部内对所述块和所述引线进行密封并保持;以及空腔,该空腔是由所述环的侧面和所述块的上部表面包围的区域,用对于波长460nm的光的反射率为83%以上的无机材料来形成所述块的至少所述上部表面部分,在所述空腔的底部只露出所述块的上部表面。 |
地址 |
日本大阪府 |