一种在硅片上集成化合物半导体器件的工艺

摘要

本发明公开了一种在硅片上集成化合物半导体器件的工艺，其特征在于，在衬底材料上初步加工完成化合物半导体部件后，通过在硅片上加工形成相应的金属布线方式，使该化合物半导体部件在倒置后，部件的引出端与硅片上的金属引线指定位置相键合，形成对化合物半导体器件的电性连接以及机械支撑。通过此加工方法，化合物半导体器件的衬底材料可在剥离后重复利用，大幅缩减在化合物半导体加工过程中衬底材料的成本。

主权项

一种在硅片上集成化合物半导体器件的工艺，其特征在于，包括下述步骤：(1)首先在衬底层上，生长一缓冲层，在缓冲层上加工制作化合物半导体的体结构层，该体结构层上设置n个横向并排的第一引线端，形成化合物半导体部件；其中n≥2，n个第一引线端的宽度、高度以及间距各异；第一引线端采用导电性好金属或合金材料；(2)同时在一块硅片上均匀生长一层绝缘层材料，然后在该绝缘材料上，参照步骤(1)n个第一引线端宽度、高度、间距数据，使用光刻版，经过不多于n次的分区域光刻刻蚀工艺，形成带n个凸起台阶的绝缘层；该n个凸起台阶的宽度、高度及间距各异，并与步骤(1)半导体部件各个第一引线端形位尺寸相对应；在该凸起台阶上采用导电性好金属材料均匀沉积n个第二引线端，其中各宽度稍小于相对应的第一引线端的宽度；(3)将步骤(1)制得的化合物半导体部件倒置，并与步骤(2)所制得的硅片相键合，使n个第一引线端分别与硅片上形位相对应的n个第二引线端充分粘附在一起，并将衬底层剥离，形成最终的化合物半导体器件；剥离后的衬底层在经过表面处理后继续用于步骤(1)所述体结构层的加工制作。