发明名称 |
一种真彩色全息图案及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种真彩色全息图案及其制备方法,属于微纳器件光刻加工领域,可应用于防伪或者包装行业。本发明通过光栅结构色的组合实现真彩色,即实现了CIE色域与光栅结构的一一对应。本发明方法为:(1)按照本发明中真彩色方案设计版图(2)清洗硅片,在硅片上旋涂电子抗蚀胶;(3)通过光刻工艺在电子抗蚀胶上形成结构;(4)采用刻蚀工艺在硅片上形成结构,去除电子抗蚀胶得到有结构的硅片;(5)采用纳米压印工艺将结构转移到聚合物薄膜上;(6)采用磁控溅射工艺在聚合物薄膜的结构上溅射高折射率材料;(7)在高折射率材料的结构上旋涂聚合物形成保护层。通过本方案增加了全息图案能表现出的色彩,使得产品更难以仿造。 |
申请公布号 |
CN104536261A |
申请公布日期 |
2015.04.22 |
申请号 |
CN201410682790.6 |
申请日期 |
2014.11.24 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
夏金松;李一;李晓平;张永 |
分类号 |
G03F7/00(2006.01)I;G02B5/32(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/00(2006.01)I |
代理机构 |
华中科技大学专利中心 42201 |
代理人 |
曹葆青 |
主权项 |
一种真彩色全息图案的制作方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:(1)版图设计,按真彩色定义的光栅结构设计版图;(2)清洗硅片,在硅片上旋涂电子抗蚀胶;(3)通过电子束光刻工艺在电子抗蚀胶上形成步骤(1)中设计的光栅结构;(4)采用干法刻蚀将光栅结构转移到硅片上,去除电子抗蚀胶得到有光栅结构的硅片;(5)采用纳米压印工艺将光栅结构转移到聚合物薄膜上;(6)采用磁控溅射工艺在聚合物薄膜的光栅结构上溅射高折射率材料;(7)在高折射率材料的结构上涂敷聚合物形成保护层。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |