一种低触发耐负压的SCR器件、工艺方法及应用电路

摘要

本发明适用于半导体器件领域，提供了一种低触发耐负压的SCR器件、工艺方法及ESD应用电路，该器件包括：衬底、在衬底中形成的第一深注入阱、以及在第一深注入阱中形成的第一有源区；在衬底中形成的第二深注入阱、在第二深注入阱中形成的第二有源区、以及在第二深注入阱中形成的第一有源区；在第二深注入阱中形成的第二阱、在第二深注入阱中形成的第一阱、在第一、第二阱的交界处同时向两阱注入形成的第一有源区、在第一阱中形成的第二有源区，以及在第一阱中形成的第一有源区。本发明提供的耐负压并具有低触发电压的SCR器件，能够将耐负压SCR器件的触发电压降低至芯片内部栅氧化层击穿电压以下，从而实现有效的ESD防护的设计要求。

主权项

一种低触发耐负压的SCR器件，其特征在于，所述SCR器件包括：衬底、在所述衬底中形成的第一深注入阱、以及在所述第一深注入阱中形成的第一有源区；在所述衬底中形成的第二深注入阱、在所述第二深注入阱中形成的第二有源区、以及在所述第二深注入阱中形成的第一有源区，所述第二深注入阱通过所述第二有源区连接至V点电压端；在所述第二深注入阱中形成的第二阱、在所述第二深注入阱中形成的第一阱、所述第二阱位于所述第一阱的外圈且与所述第一阱形成一交界，在所述第一阱和所述第二阱的交界处同时向所述第一阱和所述第二阱注入形成的第一有源区、在所述第一阱中形成的第二有源区，以及在所述第一阱中形成的第一有源区，所述第一阱通过所述第一有源区连接至PAD端口；所述第一深注入阱和所述第二深注入阱的掺杂类型相反；所述第一有源区和所述第二有源区的掺杂类型相反；所述第一阱和所述第二阱的掺杂类型相反；所述第一有源区具有高掺杂浓度。