基于硅纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于硅纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法。主要解决现有太阳能电池绒面结构光反射率高，载流子收集效率低的问题。其包括N背电极(6)和型硅衬底(5)，其中N型硅衬底(5)的上表面采用干法刻蚀形成纳米线阵列结构，在该纳米线阵列结构上表面依次采用等离子体化学气相淀积形成本征非晶硅层(4)和P型非晶硅层(3)，采用磁控溅射工艺形成ITO氧化铟锡透明导电膜(2)，在纳米线阵列结构的顶端采用电子束蒸发形成正电极(1)。本发明由于采用硅纳米线阵列结构，具有良好的陷光效果，且提高了载流子的收集效率，有利于提高换能机构对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

主权项

一种基于硅纳米线阵列的太阳能电池，包括背电极(6)和N型硅衬底(5)，其特征在于：N型硅衬底(5)的上表面采用纳米线阵列结构，该纳米线阵列结构上表面依次层叠有本征非晶硅层(4)、P型非晶硅层(3)和ITO氧化铟锡透明导电膜(2)，纳米线阵列结构的顶端设有正电极(1)。