发明名称 高灵敏SiC压力传感器
摘要 一种高灵敏SiC压力传感器的制备方法,其包括以下具体步骤:(1)将C纸浸泡在Co(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>乙醇溶液中,引入催化剂,自然晾干备用;(2)将聚硅氮烷液态有机前驱体置于石墨坩埚中,引入催化剂后的C纸置于石墨坩埚顶部,一起置于气氛烧结炉中于1350~1450℃进行高温热解,在5%N<sub>2</sub>和95%Ar(体积比)的混合保护气氛下热解1~3小时,实现N原子掺杂的n型SiC纳米线的制备。(3)将n型SiC纳米线超声分散后滴洒在石墨片上,在原子力显微镜导电模式下构建SiC纳米线压力传感器,通过探针施加不同压力,实现不同压力下的电信号检测。与已有报道的工作相比,本发明所制备的SiC压力传感器不仅能够实现nN量级力的检测,而且能够实现pA量级电信号的反馈,具有更高的灵敏度。
申请公布号 CN103234670B 申请公布日期 2015.04.22
申请号 CN201310152489.X 申请日期 2013.04.16
申请人 宁波工程学院 发明人 杨为佑;毕精会;尉国栋;王霖;高凤梅;郑金桔
分类号 G01L1/18(2006.01)I;G01L9/08(2006.01)I;B82Y15/00(2011.01)I 主分类号 G01L1/18(2006.01)I
代理机构 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人 汤东凤
主权项 一种高灵敏SiC压力传感器的制备方法,其包括以下具体步骤:1)材料制备:将C纸浸泡在Co(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>乙醇溶液中,自然晾干后引入催化剂,将聚硅氮烷液态有机前驱体置于石墨坩埚中,引入催化剂后的C纸置于石墨坩埚顶部,一起置于气氛烧结炉中于1350~1450℃进行高温热解,在5%N2和95%Ar(体积比)的混合保护气氛下热解1~3小时,实现N原子掺杂的n型SiC纳米线的制备,所制备的n型SiC纳米线表面光洁,直径为200nm,沿轴向方向尺寸均匀,SiC纳米线N原子掺杂浓度为8.28at.%;2)压力传感器构建:将n型SiC纳米线超声分散在乙醇中,然后滴洒在石墨片上,在原子力显微镜导电模式下构建SiC纳米线压力传感器,通过探针施加不同压力,实现不同压力下的电信号检测;所述步骤1)和2)中所采用的压力传感器功能单元为N原子掺杂的n型SiC纳米线;所述步骤2)中所制备的SiC压力传感器,其压阻因子为0.75~7.7×10<sup>‑11</sup>Pa<sup>‑1</sup>,能够实现nN量级力的检测,且能实现pA量级电信号的反馈,具有高灵敏性。
地址 315211 浙江省宁波市镇海区风华路201号