发明名称 奈米线带隙分布的测量方法;Method for Evaluating Bandgap Distributions of Nanowires
摘要 一种奈米线带隙分布的测量方法,包括以下步骤:提供一基体,并于该基体设置复数个奈米线,该复数个奈米线平行于基体表面;形成至少一金属电极于所述基体表面,并与所述复数个奈米线相互接触;对上述形成有复数个奈米线及至少一金属电极的基体拍摄扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)照片;分析上述扫描电子显微镜照片,获得该复数个奈米线的带隙分布。; disposing a number of paralleled nanowires on the surface of the substrate; disposing at least one metal electrode on the surface of the substrate and contacted to the nanowires; taking a photo to the substrate with the at least one metal electrode and the nanowires by a Scanning Electron Microscope and evaluating this photo to obtain the information of bandgap distributions of nanowires.
申请公布号 TW201514481 申请公布日期 2015.04.16
申请号 TW102144674 申请日期 2013.12.05
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 发明人 何宇俊 HE, YU-JUN;李东琦 LI, DONG-QI;张金 ZHANG, JIN;张丽娜 ZHANG, LI-NA;姜开利 JIANG, KAI-LI;范守善 FAN, SHOU-SHAN
分类号 G01N23/225(2006.01) 主分类号 G01N23/225(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
地址 新北市土城区自由街2号 TW