藉由乾式蚀刻移除３Ｄ半导体结构之方法;REMOVAL OF 3D SEMICONDUCTOR STRUCTURES BY DRY ETCHING

摘要

各种实施例包括制作半导体装置之方法，其包括提供复数个延伸远离支撑件之奈米结构；在该等奈米结构之间形成可流动材料层；在该可流动材料之第一部分及该复数个奈米结构之第一部分上形成图案化遮罩，以使得该可流动材料之第二部分及该复数个奈米结构之第二部分并不位于该图案化遮罩下方；及蚀刻该可流动材料之该第二部分及该复数个奈米结构之该第二部分，以移除该可流动材料之该第二部分及该复数个奈米结构之该第二部分，而留下该可流动材料之该第一部分及该复数个奈米结构之该第一部分未经蚀刻。