发明名称 用于模塑衬底的金属重分布层
摘要 本公开涉及用于模塑衬底的金属重分布层。通过在支撑衬底上放置多个半导体裸片、以及采用模塑化合物覆盖半导体裸片以形成模塑结构而封装集成电路,每一个半导体裸片在朝向支撑衬底的侧部上具有多个端子。随后从模塑结构移除支撑衬底以暴露具有端子的半导体裸片的侧部,以及形成在模塑结构上并且与半导体裸片的端子以及模塑化合物直接接触的金属重分布层。形成重分布层而不首先在具有半导体裸片的端子的模塑结构的侧部上形成电介质层。也公开了对应的模塑结构和单独模塑半导体封装。
申请公布号 CN104517905A 申请公布日期 2015.04.15
申请号 CN201410490549.3 申请日期 2014.09.23
申请人 英飞凌科技股份有限公司 发明人 U·瓦赫特;D·迈尔;T·基尔格
分类号 H01L21/98(2006.01)I 主分类号 H01L21/98(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 王茂华;张宁
主权项 一种封装集成电路的方法,所述方法包括:在支撑衬底上放置多个半导体裸片,所述半导体裸片中的每一个半导体裸片在朝向所述支撑衬底的侧部处具有多个端子;采用模塑化合物覆盖所述半导体裸片以形成模塑结构;从所述模塑结构移除所述支撑衬底以暴露所述半导体裸片的具有所述端子的侧部;以及形成在所述模塑结构上并且与所述半导体裸片的所述端子和所述模塑化合物直接接触的金属重分布层,而不在所述模塑结构的具有所述半导体裸片的所述端子的侧部上首先形成电介质层。
地址 德国诺伊比贝尔格