| 发明名称 | 使用至少两个掩模的阶梯形成 | ||
| 摘要 | 本发明提供用于例如在存储器装置中使用至少两个掩模的阶梯形成的设备及方法。一种实例性方法可包含：在导电材料上方形成第一掩模以界定第一经暴露区域；及在所述第一经暴露区域的一部分上方形成第二掩模以界定第二经暴露区域，所述第二经暴露区域小于所述第一经暴露区域。从所述第二经暴露区域移除导电材料。所述第二掩模的初始第一尺寸小于所述第一经暴露区域的第一尺寸，且所述第二掩模的初始第二尺寸为至少所述第一经暴露区域的第二尺寸加上等于所述第二掩模的所述初始第一尺寸与在形成阶梯结构之后所述第二掩模的最终第一尺寸之间的差的距离。 | ||
| 申请公布号 | CN104520985A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201380041275.3 | 申请日期 | 2013.07.03 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 何昌万;格雷厄姆·R·沃斯滕霍姆;迪帕克·蒂梅高达 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 路勇 |
| 主权项 | 一种用于形成存储器结构的方法，其包括：在导电材料上方形成第一掩模以界定第一经暴露区域；及在所述第一经暴露区域的一部分上方形成第二掩模以界定第二经暴露区域，所述第二经暴露区域小于所述第一经暴露区域；及从所述第二经暴露区域移除导电材料，其中所述第二掩模的初始第一尺寸小于所述第一经暴露区域的第一尺寸，且所述第二掩模的初始第二尺寸为至少所述第一经暴露区域的第二尺寸加上等于所述第二掩模的所述初始第一尺寸与在形成阶梯结构之后所述第二掩模的最终第一尺寸之间的差的距离。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||