太阳能电池的制造方法、以及通过该制造方法制造了的太阳能电池

摘要

一种生产率良好地形成钝化效果优良的由氮化硅构成的反射防止膜的太阳能电池的制造方法，其特征在于，使用具备成膜室(101)、具有使氨气激发的激发部(111a、112a)和对激发了的氨气导入硅烷气体而活性化的活性化反应部(111b、112b)的等离子体室(111、112)、以及针对每个等离子体室(111、112)调整氨气和硅烷气体的流量比的流量控制器(113)的远程等离子体CVD装置(100)，在成膜室(101)中输送半导体基板(102)的同时，通过来自第一等离子体室(111)的等离子体流，在半导体基板(102)上形成第一氮化硅膜，接着通过来自导入了流量比与第一等离子体室(111)不同的氨气和硅烷气体的第二等离子体室(112)的等离子体流，形成组成与第一氮化硅膜不同的第二氮化硅膜。

主权项

一种太阳能电池的制造方法，具有使用远程等离子体CVD装置在半导体基板表面形成由氮化硅构成的反射防止膜的工序，其特征在于，所述远程等离子体CVD装置具备：成膜室，以能够移动的方式配置半导体基板；以及多个等离子体室，在该成膜室的上方连通地设置，产生氨气的等离子体流，对该等离子体流导入硅烷气体，之后，向成膜室喷出该等离子体流，并且，所述多个等离子体室分别附设有调整被导入的氨气和硅烷气体的流量比的流量控制器，所述半导体基板通过来自第一等离子体室的等离子体流形成第一氮化硅膜，进而移动到第二等离子体室的下方，通过基于流量比与第一等离子体室不同的氨气和硅烷气体的等离子体流，形成组成与所述第一氮化硅膜不同的第二氮化硅膜。