非挥发性存储器单元及非挥发性存储器单元的制作方法

摘要

本发明公开了一种非挥发性存储器单元及非挥发性存储器单元的制作方法，其中存储器单元的架构，包含基底、井区、三个源极/漏极参杂区、两个底部电介层、两个电荷捕捉层、阻隔层及两个栅极以形成存储器单元的选择晶体管及储存晶体管。底部电介层与电荷捕捉层可用以提供选择晶体管的栅极足够厚度的电介质，而无须额外的制程步骤。

主权项

一种非挥发性存储器单元，其特征在于，包含：一井区，形成于一基底；复数个源极/漏极参杂区，形成于该井区；一第一底部电介层，形成于该井区上方，且于该些源极/漏极参杂区中一第一源极/漏极参杂区及一第二源极/漏极参杂区之间；一第二底部电介层，形成于该井区上方，且于该些源极/漏极参杂区中该第二源极/漏极参杂区及一第三源极/漏极参杂区之间；一第一电荷捕捉层，形成于该第一底部电介层上方；一第二电荷捕捉层，形成于该第二底部电介层上方；一阻隔层，形成于该第一电荷捕捉层上方；一存储器栅极，形成于该阻隔层上方；及一选择栅极，形成于该第二电荷捕捉层上方。